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次世代半導体パッケージ基板の微細回路形成に貢献
− OKUNOの無電解銅めっきプロセス −
スマートフォンは、通話だけでなく、音楽や動画などのコンテンツ視聴、オンラインショッピング、自動車、スマート家電、ロボットなどの産業に広く利用されています。
携帯電話やタブレットなどの移動用通信機器は、おおよそ10年ごとに大きな進化を遂げ、その最大通信速度は、30年間で約1,000,000倍になりました。次世代通信システムでは、膨大な量のデータを超高速で処理するため、サーバーや高性能コンピューターに搭載される半導体には、さらなる高性能化が要求されています。
奥野製薬工業の無電解銅めっきプロセス 「OPC FLETプロセス」は、スマートプロセス学会エレクトロニクス生産科学部会などが主催の第26回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム（Mate 2020）において、奨励賞を受賞しました。
奥野製薬工業は、これからも次世代半導体パッケージの高機能化に貢献する表面技術のプロセス開発に取り組んでまいります。
その他、低粗度絶縁材料などの新素材に対応する技術開発にも力を入れておりますので、エレクトロニクス分野の表面処理に関するお困りごとは、お気軽にご相談ください。
プリント配線板の微細化
電子機器などの高性能、小型化、軽量化にともない、半導体パッケージ基板はさらに高密度化しています。
そのため、半導体パッケージに用いられるプリント配線板では、回路の微細化、ビアホールの小径化、内層銅の極薄化が進んでいます。
ビアホールには、底面から見て内層銅、無電解銅めっき、電気銅めっきという3種類の銅があります。
従来の方法では、微細化が進むと、内層銅と無電解銅めっきの界面ではく離が生じ、接続信頼性が低下するという問題がありました。
従来の方法では、ビアホールの底部と
無電解銅めっきの界面において、
接続信頼性が低下するおそれがある
L/S=5/5μm以下の超微細回路形成を実現
OKUNOの無電解銅めっきプロセス
OPC FLETプロセス
奥野製薬工業が新たに開発した無電解銅めっきプロセス、「OPC FLETプロセス」は、
優れたつきまわり性と電気伝導性を示す銅シード層を低膜厚で形成できます。さらに、低粗度材料に対しても優れた密着性を示します。
無電解銅めっき皮膜の低膜厚化によって、無電解銅めっきをエッチングする際に生じる回路細りを大幅に改善し、
L/S=5/5μm以下の超微細配線の形成が可能になりました。
低膜厚でもビアホール内に、優れためっき析出性が得られる
■OPC FLETプロセス
低膜厚でも電気伝導性に優れる
■従来プロセス
低粗度材料でも高いピール強度を示す
ビアホール底部とめっき層の界面で、優れた接続信頼性を確保
奥野製薬工業が新たに開発した無電解銅めっきプロセス、「OPC FLETプロセス」は、
内層銅と無電解銅めっきの界面で、結晶連続性を確保することに成功しました。
この技術によって、最先端のパッケージで要求される高度な信頼接続性を得ることができます。
■OPC FLETプロセス
■従来プロセス
■微細配線対応無電解銅めっき「OPC FLETカッパー」
各種新素材に対応する技術開発にも力を入れておりますので、
表面処理についての課題は、お気軽に当社までお問い合わせください。
トータルプロセスのご提案 : 半導体パッケージ基板の製造に貢献するOKUNOのプロセスもあわせてご覧ください。